參數(shù)資料
型號(hào)： SIHVM7.5
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大小： 98K
代理商： SIHVM7.5
221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 249798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
tSENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 960, REV. -
HIGH VOLTAGE, HIGH DENSITY, FAST RECOVERY LEADED
INDUSTRIAL GRADE SILICON RECTIFIER ASSEMBLY
FEATURES:
Low reverse recovery time
V
R = 2500V – 12500V
Low forward voltage drop
I
F = 0.5A
High thermal shock resistance
I
R = 1.0A
Corona free construction
t
rr = 150ns
Low distributed capacitance
Absolute Maximum Ratings
TYPE
NUMBER
PEAK
INVERSE
VOLTAGE
(PIV)
MAX. AVG.
DC
OUTPUT
CURRENT
IF(AV)
Amps
REPETITIVE
SURGE
CURRENT
IFRM
________
Amps
1 CYCLE SURGE
CURRENT
tp = 8.3ms (sine)
IFSM
Amps
I
2t
tp = 8.3ms
@ 25
°C
PACKAGE
LENGTH
Volts
55
°C
100
°C
25
°C
25
°C
A
2S
Inches
SICF2500
SICF5000
SICF7500
SICF10000
SICF12500
2500
5000
7500
10000
12500
0.5
0.3
15
25
2.6
1.145
2.020
2.770
3.520
4.270
Electrical Characteristics
TYPE
NUMBER
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
@ PIV
IR
Amps
MAXIMUM
PEAK
FORWARD
VOLTAGE
VF @ IF
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY
TIME
trr @ 25
°C
25
°C
100
°C
V
A
nsec
SICF2500
SICF5000
SICF7500
SICF10000
SICF12500
1.0
25
3.45
5.75
9.20
11.5
15.0
0.5
150
Notes:
- Operating temperature range –40 to +125°C.
- Storage temperature range –40 to +125°C.
Measured on discrete devices prior to assembly.
SICF2500
SICF10000
SICF5000
SICF12500
SICF7500
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SICH20000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SIHVM12.5 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICF12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH5000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SiHW22N65E-GE3 功能描述:MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:+/- 20 V 漏極連續(xù)電流:22 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.18 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247 AD 封裝:Bulk
SIHW23N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:20 V 漏極連續(xù)電流:23 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.158 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247AD-3 封裝:Bulk
SIHW30N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIHW30N60E-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-247AD-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AD-3
SIHW33N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*