參數(shù)資料
型號： SI9958DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 補充20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： SI9958DY
Si9958DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
6
Document Number: 70141
S-01025—Rev. J, 22-May-00
10
–2
10
–1
1
10
30
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0
2
4
6
8
10
I
D
= 3.5 A
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
–1
–0.5
0.0
0.5
1.0
–50
0
50
100
150
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
–4
1
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 250
μ
A
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
V
V
G
25
20
15
10
5
0
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PDF描述
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