參數(shù)資料
型號(hào)： SI9945DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 3.3 A, 60 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 59K
代理商： SI9945DY
Si9945AEY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70758
S-57253—Rev. C, 24-Feb-98
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
2
4
6
8
10
–0.9
–0.6
–0.3
0.0
0.3
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
= 175 C
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
+3
I
D
= 3.7 A
I
D
= 250 A
0
0.001
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
= 93 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
tthJA
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
V
V
G
T
J
= 25 C
30
60
90
120
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
+2
1
10
30
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PDF描述
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