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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI9934BDY-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | SI9934BDY-T1-E3 |
Si9934BDY
Vishay Siliconix
Document Number: 72525
S-41578—Rev. C, 23-Aug-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9934BDY-E3 | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI9934DY | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| SI9936BDY | SPICE Device Model Si9936BDY |
| SI9936DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SI9936DY | D2VW STD Lever (Ext) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI9934BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9934DY | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9934DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| SI9934DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI9936BDY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
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