參數(shù)資料
型號： SI9933BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道2.5V（G-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： SI9933BDY
Si9933ADY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4
Document Number: 70651
S-00652—Rev. B, 27-Mar-00
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
–0.4
–0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
30
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
= 150 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 3.2 A
I
D
= 250
μ
A
20
1
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
10
–4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
V
V
G
10
T
J
= 25 C
相關PDF資料
PDF描述
SI9933BDY-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9933ADY Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
SI9945AEY Dual N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET
SI9945DY Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI9953DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI9933BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N
SI9933BDY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N T/R
SI9933BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET -20V P-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933CDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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