參數(shù)資料
型號： SI9933BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道2.5V（G-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 48K
代理商： SI9933BDY
Si9933ADY
Vishay Siliconix
Document Number: 70651
S-00652—Rev. B, 27-Mar-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
3
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
2
4
6
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
0
50
100
150
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
3
6
9
12
15
0
500
1000
1500
2000
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
125 C
V
GS
= 2.7 V
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 4.5 V
T
C
= –55 C
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 5 – 3.5 V
2 V
3 V
25 C
V
GS
= 3 V
2.5 V
相關PDF資料
PDF描述
SI9933BDY-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9933ADY Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
SI9945AEY Dual N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET
SI9945DY Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI9953DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI9933BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N
SI9933BDY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N T/R
SI9933BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET -20V P-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933CDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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