參數(shù)資料
型號(hào)： SI9410DY
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 7 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： SI9410DY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
Si9410BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72269
S-31409—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.024 @ V
GS
= 10 V
0.033 @ V
GS
= 4.5 V
8.1
6.9
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
G
D
S
Ordering Information:
Si9410BDY
Si9410BDY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
8.1
6.2
T
A
= 70 C
6.5
5.0
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.1
1.2
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.5
W
T
A
= 70 C
1.6
0.9
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
40
50
Steady State
70
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
20
24
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9410BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI9410DY Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI9420DY N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI91860 400-mA Smart Regulator for Network Interface Card
SI91860DY 400-mA Smart Regulator for Network Interface Card
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9410DY,518 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A SOT96-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SI9410DYT1 制造商:SILICONIX 功能描述:*
SI9410DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
SI9420DY 功能描述:MOSFET 200V 1A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9420DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 1A 8-Pin SOIC N T/R
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