參數(shù)資料
型號： SI9410BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： SI9410BDY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
Si9410BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72269
S-31409—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.024 @ V
GS
= 10 V
0.033 @ V
GS
= 4.5 V
8.1
6.9
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
G
D
S
Ordering Information:
Si9410BDY
Si9410BDY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
8.1
6.2
T
A
= 70 C
6.5
5.0
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.1
1.2
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.5
W
T
A
= 70 C
1.6
0.9
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
40
50
Steady State
70
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
20
24
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料
PDF描述
SI9410DY Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI9420DY N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI91860 400-mA Smart Regulator for Network Interface Card
SI91860DY 400-mA Smart Regulator for Network Interface Card
SI91860DY-T1 400-mA Smart Regulator for Network Interface Card
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參數(shù)描述
SI9410BDY_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9410BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP
SI9410BDY-T1 功能描述:MOSFET 30V 8.1A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9410BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 8.1A 0.024Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9410BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.1A 2.5W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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