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參數(shù)資料
| 型號： | SI9400DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | SI9400DY |
Si9400DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70119
S-55458—Rev. K, 02-Mar-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–20
0.25 @ V
GS
= –10 V
2.5
0.40 @ V
GS
= –4.5 V
2.0
NC
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
S
G
D
D
D
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.5
A
T
A
= 70 C
2.0
Pulsed Drain Current
I
DM
10
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.0
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
W
T
A
= 70 C
1.6
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
50
C/W
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9433DY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| Si9433BDY-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| Si9433BDY-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| SI9435BDY-T1 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI9435BDY | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI9400DYT1 | 制造商:SILICONIX 功能描述:* |
| SI9400DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI9405DY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| SI9405DY-T1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, SO |
| SI9407AEY | 功能描述:MOSFET 60V 3.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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