參數(shù)資料
型號(hào)： Si9160BQ-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Controller for RF power amplifier boost
中文描述： 控制器的射頻功率放大器提高
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 119K
代理商： SI9160BQ-T1-E3
Si9160
Vishay Siliconix
Document Number: 70029
S-40700—Rev. H, 19-Apr-04
www.vishay.com
3
SPECIFICATIONS
Limits
B Suffix
25 to 85 C
2.7 V
V
DD
, V
S
6.0 V, GND = P
GND
Parameter
Unit
Max
b
Typ
Min
b
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
a
Symbol
Output Drive (D
R
and D
S
)
Output High Voltage
V
OH
V
OL
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 5.3 V
I
OUT
=
10 mA
I
OUT
= 10 mA
5.15
5.2
V
Output Low Voltage
0.06
0.15
Peak Source Output Current
I
SOURCE
= 2 7 V V
= 5 3 V
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 5.3 V
300
250
mA
Peak Sink Output Current
I
SINK
250
300
Break-Before-Make
t
BBM
V
DD
= 6.0 V
40
ns
Logic
ENABLE Delay to Output
td
EN
ENABLE Rising to OUTPUT, V
DD
= 6.0 V
1.4
s
ENABLE Logic Low
V
ENL
0.2 V
DD
V
ENABLE Logic High
V
ENH
0.8 V
DD
ENABLE Input Current
I
EN
ENABLE = 0 to V
DD
1.0
1.0
A
Duty Cycle
Maximum Duty Cycle
CYCLE
MAX
I
DMAX
V
DD
= 6.0 V
D
MAX
= 0 to V
DD
80
95
%
D
MAX
/SS Input Current
100
100
nA
Supply
Supply Current—Normal Mode
f
OSC
= 1 MHz
R
OSC
= 7.0 k
V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 4.5 V
1.1
1.5
mA
I
DD
1.6
2.3
Supply Current—Standby Mode
ENABLE = Low
250
330
A
Notes
a.
b.
c.
C
< 5 pF on C
. After Start-Up, V
of
The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum, is used in this data sheet.
Guaranteed by design, not subject to production testing.
3 V.
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
1.485
1.490
1.495
1.500
1.505
1.510
1.515
2
3
4
5
6
7
1.485
1.490
1.495
1.500
1.505
1.510
1.515
40
20
0
20
40
60
80
100
V
REF
vs. Supply Voltage
V
REF
vs. Temperature
V
DD
Supply Voltage (V)
(
R
V
(
R
V
V
REF
with 10- A Load
T
Temperature ( C)
V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 5.0 V
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