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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI8241CB-B-IS1 |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC AUDIO DRIVER PWM 16-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 48 |
| 類型： | 音頻驅(qū)動(dòng)器 |
| 應(yīng)用： | D 類音頻放大器 |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-SOIC N |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | 336-1998-5 |
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Si824x
6
Rev. 1.0
VDDI Undervoltage Threshold
VDDIUV+
VDDI rising
3.60
4.0
4.45
V
VDDI Undervoltage Threshold
VDDIUV–
VDDI falling
3.30
3.70
4.15
V
VDDI Lockout Hysteresis
VDDIHYS
—250
—
mV
VDDA, VDDB Undervoltage
Threshold
VDDAUV+,
VDDBUV+
VDDA, VDDB rising
8V Threshold
7.50
8.60
9.40
V
10 V Threshold
9.60
11.1
12.2
V
VDDA, VDDB Undervoltage
Threshold
VDDAUV–,
VDDBUV–
VDDA, VDDB falling
8V Threshold
7.20
8.10
8.70
V
10 V Threshold
9.40
10.1
10.9
V
VDDA, VDDB
Lockout Hysteresis
VDDAHYS,
VDDBHYS
UVLO voltage = 8 V
—
600
—
mV
VDDA, VDDB
Lockout Hysteresis
VDDAHYS,
VDDBHYS
UVLO voltage = 10 V
—
1000
—
mV
AC Specifications
Minimum Pulse Width
—
10
—
ns
Propagation Delay
tPHL, tPLH
CL = 1 nF
—
25
60
ns
Pulse Width Distortion
|tPLH - tPHL|
PWD
—
1.0
5.60
ns
Programmed Dead Time2
DT
0.4
—
1000
ns
Output Rise and Fall Time
tR,tF
CL = 1 nF (Si8241)
—
20
ns
CL = 1 nF (Si8244)
—
12
ns
Shutdown Time from
Disable True
tSD
——
60
ns
Restart Time from
Disable False
tRESTART
——
60
ns
Device Start-up Time
tSTART
Time from VDD_ = VDD_UV+
to VOA, VOB = VIA, VIB
—5
7
s
Common Mode
Transient Immunity
CMTI
VIA, VIB, PWM = VDDI or 0 V
25
45
—
kV/s
Table 1. Electrical Characteristics1 (Continued)
4.5 V < VDDI < 5.5 V, VDDA = VDDB = 12 V or 15 V. TA = –40 to +125 °C. Typical specs at 25 °C
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Notes:
1. VDDA = VDDB = 12 V for 8 V UVLO and 10 V UVLO devices.
2. The largest RDT resistor that can be used is 220 k
.
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