參數(shù)資料
型號： Si7888DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： SI7888DP
Si7888DP
Vishay Siliconix
Document Number: 71876
S-31727—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Single Pulse
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PDF描述
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Si7913DN-T1-E3 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7922DN Dual MOSFET, 100 V; very fast switching performance;
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參數(shù)描述
SI7888DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7888DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7892ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7892BDP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
SI7892BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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