參數(shù)資料
型號： Si7888DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 45K
代理商： SI7888DP
Si7888DP
Vishay Siliconix
Document Number: 71876
S-31727—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
15
20
25
30
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 12.4 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 12.4 A
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
V
GS
= 4.5 V
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
2
4
6
8
10
1
10
50
I
D
= 12.4 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7892DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si7892DP-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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Si7913DN-T1-E3 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7922DN Dual MOSFET, 100 V; very fast switching performance;
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7888DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7888DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7892ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7892BDP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
SI7892BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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