參數(shù)資料
型號(hào)： SI7872DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： SI7872DP
Si7872DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72035
S-21978
—
Rev. A, 04-Nov-02
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET CHANNEL 1
10
- 2
10
- 1
1
10
- 5
2
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
100
2
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 60 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
- 3
10
- 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7882DP N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si7888DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7892DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si7892DP-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7913DN Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7872DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 10A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7872DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10A 0.022Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7872DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10A 3.5W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7880ADP-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel
SI7880ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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