參數(shù)資料
型號： SI7860ADP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 42K
代理商： SI7860ADP
Si7860ADP
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72651
S-32674—Rev. A, 29-Dec-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-0.9
-0.6
-0.3
0.0
0.3
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
0.001
0
1
160
200
40
10
0.01
Single Pulse Power, Juncion-To-Ambient
Time (sec)
120
80
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 125 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.01
1
10
100
0.01
10
-
I
D
0.1
0.1
Limited by
r
DS(on)
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
dc
1 s
10 s
1 ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7860DP N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si7866DP N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7868ADP Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison
SI7868DP N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si786 Dual-Output Power-Supply Controller(用于便攜電腦電源轉(zhuǎn)換的雙輸出步降轉(zhuǎn)換器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7860ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7860ADP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7860DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI7860DP-E3 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7860DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*