參數(shù)資料
型號(hào)： Si7810DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： SI7810DN
TrenchFET Power MOSFET
New Low Thermal Resistance
PowerPAK 1212-8 Package with Low
1.07-mm Profile
PWM Optimized
Primary Side Switch
In-Rush Current Limiter
Si7810DN
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70689
S-04559—Rev. A, 27-Aug-01
www.vishay.com
1
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.062 @ V
GS
= 10 V
0.084 @ V
GS
= 6 V
5.4
100
4.6
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK 1212-8
Bottom View
N-Channel MOSFET
G
D
S
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
5.4
3.4
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
4.3
2.8
Pulsed Drain Current
I
DM
20
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
3.2
1.3
Single Avalanche Current
I
AS
19
Single Avalanche Energy
L = 0.1 mH
E
AS
18
mJ
T
A
= 25 C
3.8
1.5
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
2.0
0.8
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
26
33
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
65
81
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
1.9
2.4
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7820DN N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
Si7820DN-T1-E3 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI7842DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7846DP N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7846DP-T1 N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7810DN_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI7810DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 5.4A 3.8W 62mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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