參數(shù)資料
型號： SI7461DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SI7461DP
Si7461DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72567
S-40411—Rev. C, 15-Mar-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關PDF資料
PDF描述
SI7461DP-T1-E3 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7464DP N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7478DP N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7478DP-T1-E3 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7485DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI7461DP_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7461DP-T1 功能描述:MOSFET 60V 14.4A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7461DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7461DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7462DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
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