參數(shù)資料
型號： SI6966DQ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 5500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： SI6966DQ
SPICE Device Model Si6966EDQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70074
22-Oct-04
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關PDF資料
PDF描述
SI6968BEDQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968BEDQ-T1 Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968ADQ N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
SI6973DQ Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6975DQ Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI6966DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6966DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6966DQ-T1-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench
SI6966DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6966EDQ 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N-channel MOSFET,SI6966EDQ 20V 4.5A
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