參數(shù)資料
型號(hào)： SI6946DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 50K
代理商： SI6946DQ
Si6946DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-2
Document Number: 70177
S-49534—Rev. E, 06-Oct-97
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
0.6
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
1
A
V
DS
GS
= 0 V, T
J
= 70 C
5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
10
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 2.5 V
4
Drain Source On State Resistance
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 2.8 A
0.080
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 2.1
A
0.110
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 2.8 A
12
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= 1.0 A, V
GS
= 0 V
1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
V
DS
= 10 V V
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 2.8 A
4 5 V I
2 8 A
16
40
Gate-Source Charge
Q
gs
3
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
6
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
= 10 V, R
= 10
1 A V
1 A, V
GEN
= 4.5 V, R
G
= 6
10 V R
37
60
Rise Time
t
r
I
D
4 5 V R
66
100
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
56
100
ns
Fall Time
t
f
57
100
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 1.0 A, di/dt = 100 A/ s
26
70
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
Guaranteed by design, not subject to production testing.
300 s, duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6955ADQ Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6965DQ P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
SI6966EDQ N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected
SI6966 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6946DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.8A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6946DQ-T1-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 8-Pin TSSOP T/R
SI6953DQ 功能描述:MOSFET 20V/20V P-Channel Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6953DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 1.9A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6954ADQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*