參數(shù)資料
型號： SI6821DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
中文描述： P溝道，減少Q(mào)g和與MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 62K
代理商： SI6821DQ
Si6821DQ
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70791
S-56954—Rev. C, 01-Mar-99
–0.5
–0.25
0.00
0.25
0.50
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
1
2
3
4
5
6
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
1
10
I
D
= 1.7 A
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
0
1
25
30
10
20
10
30
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 115 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
– Temperature ( C)
P
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
Time (sec)
15
5
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