參數(shù)資料
型號(hào)： SI4967DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI4967DY-T1
Si4967DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70813
S-31989—Rev. C, 13-Oct-03
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.023 @ V
GS
= -4.5 V
0.030 @ V
GS
= -2.5 V
0.045 @ V
GS
= -1.8 V
-7.5
-12
-6.7
-5.4
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4967DY
Si4967DY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
-7.5
T
A
= 70 C
-6.1
A
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
-30
-1.7
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
2.0
W
1.3
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
62.5
C/W
Steady State
93
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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