參數資料
型號： SI4982DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道100 -五（副）MOSFET的
文件頁數： 1/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： SI4982DY
Si4982DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70748
S-03950—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
2-1
Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.150 @ V
GS
= 10 V
2.6
0.180 @ V
GS
= 6 V
2.4
SO-8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
G
S
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4982DY
Si4982DY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.6
T
A
= 70 C
2.1
A
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
W
T
A
= 70 C
1.3
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
62.5
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關PDF資料
PDF描述
SI4982DY-T1 Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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參數描述
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SI4982DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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