參數(shù)資料
型號： SI4925BDY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： SI4925BDY-T1
Si4925BDY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 72001
S-31989—Rev. B, 13-Oct-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
20
30
10
15
P
Single Pulse Power
Time (sec)
25
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
1
100
600
10
10
-1
10
-2
5
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
-
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
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PDF描述
SI4925 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY Dual p-channel SO-8 low-rDS(on) MOSFET
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SI4925DY Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
SI4925BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925BDY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR MOSFET MATCHED PAIR P-CHAN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC
SI4925BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925DDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925DDY-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
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