參數(shù)資料
型號(hào)： SI4925
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
中文描述： 雙P溝道，邏輯層次，的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： SI4925
Si4925BDY
Vishay Siliconix
Document Number: 72001
S-31989—Rev. B, 13-Oct-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4925DY Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
SI4936 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4936ADY-T1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series I; Body Material:Metal; Series:LJT; No. of Contacts:53; Connector Shell Size:23; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight RoHS Compliant: No
SI4936ADY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4936 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4925BDY 功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925BDY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925BDY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
SI4925BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925BDY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR MOSFET MATCHED PAIR P-CHAN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC
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