參數(shù)資料
型號(hào)： SI4924DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： SI4924DY-T1
Si4924DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
6
Document Number: 71163
S-03950—Rev. B, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
CHANNEL2
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
= 15 V
I
D
= 11.5 A
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
G
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
2
4
6
8
10
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 11.5 A
-
r
D
)
0.001
0
1
100
40
60
10
0.1
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
20
80
P
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
= 150 C
I
D
= 250 A
50
10
1
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
-
I
S
T
J
= 25 C
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4925BDY-T1-E3 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY-E3 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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