參數(shù)資料
型號： SI4900DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 259K
代理商： SI4900DY
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si4900DY
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
S-50392
Rev. A, 14-Mar-05
3
www.vishay.com
Document Number: 73237
相關PDF資料
PDF描述
SI4911DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4913DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4920DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4920DY Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
SI4921DY Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4900DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 5.3A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4900DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4904-B-GL 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
SI4904DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V MOSFET
SI4904DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 3.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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