參數(shù)資料
型號： SI4900DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 259K
代理商： SI4900DY
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si4900DY
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
2
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
105
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 4.3 A
0.046
0.046
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 3.9 A
0.057
0.059
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 4.3 A
16
15
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 1.7 A, V
GS
= 0 V
0.80
0.80
V
Input Capacitance
C
iss
732
665
Output Capacitance
C
oss
65
75
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
28
40
pF
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 4.3 A
11
13
Total Gate Charge
Q
g
5.6
6
Gate-Source Charge
Q
gs
2.3
2.3
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 30 V, V
GS
= 4.5 V, I
D
= 4.3 A
2.6
2.6
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 73237
S-50392
Rev. A, 14-Mar-05
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4900DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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