參數(shù)資料
型號： SI4890DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg; Fast-Switching MOSFET
中文描述： N溝道低Qg;快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： SI4890DY
Si4890DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70855
S-56948—Rev. A, 01-Feb-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
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20
30
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D
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40
50
V
GS
= 10 thru 4 V
T
C
= 125 C
–55 C
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 11 A
I
D
– Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
3 V
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
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