參數(shù)資料
型號： SI4825DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS = -30V; VGS = ± 25V
中文描述： P溝道30V（D-S）MOSFET VDS=-30V;VGS=±25V
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 56K
代理商： SI4825DY
Si4825DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71291
S-10679—Rev. A, 31-Jul-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–30
0.014 @ V
GS
= –10 V
–11.5
0.022 @ V
GS
= –4.5 V
–9.2
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S S S
G
D
D
D
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
25
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
–11.5
–8.1
A
T
A
= 70 C
–9.2
–6.5
Pulsed Drain Current
I
DM
–50
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.5
–1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.0
1.5
W
T
A
= 70 C
1.9
0.9
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
32
42
C/W
Steady State
68
85
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
15
18
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料
PDF描述
Si4830DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si4830ADY Dual N-Ch. mosfet plus Schottky diode;
SI4830DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4834DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4834DY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4825DY_13 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4825DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 11.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4825DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 11.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4825DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 11.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4825DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 9.2A SOIC
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