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參數(shù)資料
| 型號： | SI4484EY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | SI4484EY |
Si4484EY
Vishay Siliconix
Document Number: 71189
S-03951—Rev. C, 26-May-03
www.vishay.com
1
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.034 @ V
GS
= 10 V
0.040 @ V
GS
= 6.0 V
6.9
6.4
SO-8
S
D
S
D
S
D
G
D
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
G
S
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4484EY
Si4484EY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
6.9
4.8
T
A
= 85 C
5.4
3.7
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Avalanche Current
L = 0 1 mH
L = 0.1 mH
I
AR
25
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
E
AR
31
mJ
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
3.1
1.5
A
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.8
1.8
W
T
A
= 85 C
2.3
1.1
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
33
40
Steady State
70
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
17
21
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4484EY-T1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| SI4488DY | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| Si4488DY-T1 | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI4490DY | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| Si4490DY-T1 | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4484EY_06 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SI4484EY-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4484EY-T1 | 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4484EY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4484EY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W 34mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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