參數(shù)資料
型號： SI4482DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： SI4482DY
Si4482DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70749
S-03951—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
2-1
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.060 @ V
GS
= 10 V
4.6
0.080 @ V
GS
= 6 V
4.0
SO-8
S
D
S
D
S
D
G
D
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
G
S
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4482DY
Si4482DY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.6
T
A
= 70 C
3.7
A
Pulsed Drain Current
I
DM
40
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.1
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
W
T
A
= 70 C
1.6
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
50
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關PDF資料
PDF描述
SI4482DY-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Si4483EDY-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4483EDY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With 3-kV ESD Protection VDS = -30V; VGS = ± 25V
SI4484EY 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI4484EY-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4482DY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI4482DY-E3 功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4482DY-T1 功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4482DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4482DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W 60mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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