參數(shù)資料
型號： SI4346DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： SI4346DY
Si4346DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72958
S-41793—Rev. B, 04-Oct-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
15
20
25
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r
D
)
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50
25
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25
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75
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125
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0.005
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0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
V
DS
= 15 V
I
D
= 8 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
2
4
6
8
10
T
J
= 25 C
I
D
= 8 A
40
10
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
V
GS
= 10 V
C
oss
C
iss
1
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4346DY-T1-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4346DY-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4362DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:6; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:3; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si4362DY-T1E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4362DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4346DY-E3 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4346DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 2.5W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4346DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 8A SOIC
SI4346DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 2.5W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4348DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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