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參數(shù)資料
| 型號： | SI4122-D-GM |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 31/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP |
| 標準包裝： | 60 |
| 類型： | 頻率合成器 |
| PLL： | 是 |
| 輸入： | 時鐘 |
| 輸出： | 時鐘 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 比率 - 輸入:輸出： | 1:2 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 無/無 |
| 頻率 - 最大： | 1.5GHz |
| 除法器/乘法器： | 是/無 |
| 電源電壓： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 28-VFQFN 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝： | 28-QFN（5x5） |
| 包裝： | 托盤 |
| 產品目錄頁面： | 585 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 336-1103 SI4122-BM |
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Si4133
4
Rev. 1.61
1. Electrical Specifications
Table 1. Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Ambient Temperature
TA
–40
25
85
°C
Supply Voltage
V
DD
2.7
3.0
3.6
V
Supply Voltages Difference
V
(VDDR – VDDD),
(VDDI – VDDD)
–0.3
—
0.3
V
Note:
All minimum and maximum specifications are guaranteed and apply across the recommended operating conditions.
Typical values apply at nominal supply voltages and an operating temperature of 25 °C unless otherwise stated.
Table 2. Absolute Maximum Ratings1,2
Parameter
Symbol
Value
Unit
DC Supply Voltage
VDD
–0.5 to 4.0
V
Input Current3
I
IN
±10
mA
Input Voltage3
VIN
–0.3 to VDD+0.3
V
Storage Temperature Range
TSTG
–55 to 150
oC
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the above Absolute Maximum Ratings are exceeded. Functional operation
should be restricted to the conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
2. This device is a high performance RF integrated circuit with an ESD rating of < 2 kV. Handling and assembly of
this device should only be done at ESD-protected workstations.
3. For signals SCLK, SDATA, SEN, PWDN and XIN.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4113-D-GM | IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP |
| VI-JTH-MZ-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W |
| VI-JTH-MZ-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W |
| ICS87972DYILFT | IC CLK MULT/ZD BUFFER 52-LQFP |
| IDT23S08E-1HPGG | IC CLK MULT ZD HI DRIVE 16-TSSOP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4122-D-GMR | 功能描述:射頻無線雜項 Single-Band RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| SI4122-D-GT | 功能描述:鎖相環(huán) - PLL SINGLE-BAND RF TSSOP-24 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray |
| SI4122-D-GTR | 功能描述:時鐘發(fā)生器及支持產品 Single-Band RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56 |
| SI4122DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4122DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 27.2A 6.0W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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