參數(shù)資料
型號(hào)： SI4122-D-GM
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 26/36頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
類型： 頻率合成器
PLL： 是
輸入： 時(shí)鐘
輸出： 時(shí)鐘
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 1:2
差分 - 輸入:輸出： 無/無
頻率 - 最大： 1.5GHz
除法器/乘法器： 是/無
電源電壓： 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 28-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 28-QFN（5x5）
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁面： 585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 336-1103
SI4122-BM
Si4133
32
Rev. 1.61
9. Package Outline: Si4133-GT
Figure 19 illustrates the package details for the Si4133-GT. Table 16 lists the values for the dimensions shown in
the illustration.
Figure 19. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 16. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
—
1.20
A1
0.05
—
0.15
b
0.19
—
0.30
c
0.09
—
0.20
D
7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.45
0.60
0.75
10°
—
8°
bbb
0.10
ddd
0.20
L
1
c
D
A1
A
b
E1 E
e
See Detail G
Detail G
12
3
ddd CB A
A
C
24
bbb
CB A
M
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4113-D-GM IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
VI-JTH-MZ-F3 CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W
VI-JTH-MZ-F1 CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W
ICS87972DYILFT IC CLK MULT/ZD BUFFER 52-LQFP
IDT23S08E-1HPGG IC CLK MULT ZD HI DRIVE 16-TSSOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4122-D-GMR 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) Single-Band RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
SI4122-D-GT 功能描述:鎖相環(huán) - PLL SINGLE-BAND RF TSSOP-24 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray
SI4122-D-GTR 功能描述:時(shí)鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 Single-Band RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56
SI4122DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4122DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 27.2A 6.0W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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