參數(shù)資料
型號(hào)： SI3447BDV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 246K
代理商： SI3447BDV
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si3447DV
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
S-50383
Rev. B, 21-Mar-05
3
www.vishay.com
Document Number: 71520
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si3447BDV-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Si3447BDV-T1-E3 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3447 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
SI3447DV P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Si3456BDV-T1-E3 COOLER FOR TO-220 20 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3447BDV 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TSOP-6
SI3447BDV-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
SI3447BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 5.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3447BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 2.0W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3447CDV 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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