參數(shù)資料
型號： SI3441
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： P溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： SI3441
Si3441BDV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72028
S-03669—Rev. B, 07-Apr-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-
r
D
)
0
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
0.00
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0
4
8
12
16
20
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.3 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.00
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
I
D
= 3.3 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
= 25 C
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
相關PDF資料
PDF描述
SI3441DV RELAY SSR SPST 350V 120MA 6-SOP
SI3442BDV-T1-E3 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI3442DV N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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