參數(shù)資料
型號： SI2341DS-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 43K
代理商： SI2341DS-T1
Si2341DS
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72263
S-31675—Rev. B, 11-Aug-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
-
r
)
0
100
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
20
25
30
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
On-Resistance vs. Drain Current
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
T
C
= -55 C
125 C
V
GS
= 10 thru 5 V
2 V
3 V
Gate Charge
-
V
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 3 A
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
)
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
25 C
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