參數(shù)資料
型號： SI2312DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 58K
代理商： SI2312DS
Si2312DS
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71338
S-31990—Rev. D, 13-Oct-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
0.01
0
1
10
12
4
6
100
600
0.1
Single Pulse Power
Time (sec)
2
8
P
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
-0.0
0.1
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 166 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
10
T
A
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI2312DS-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2318DS-T1 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI2318DS N-Channel; MOSFET for general applications
SI2341DS P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2341DS-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI2312DS_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET
SI2312DST1 制造商:VISHAY 功能描述:MOSFET TRANSISTOR
SI2312DS-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2312DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2312DS-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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