| 型號(hào)： |
SI2312BDS-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
3.9A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
31 毫歐 @ 5A，4.5V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
850mV @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
12nC @ 4.5V
|
| 功率 - 最大： |
750mW
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SOT-23-3（TO-236）
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： |
1661 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
SI2312BDS-T1-GE3DKR
|