| 型號： | SI2312BDS-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫歐 @ 5A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SI2312BDS-T1-GE3DKR |