參數(shù)資料
型號: SI2302ADS
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel MOSFET, 20V(D-S)
中文描述: N溝道MOSFET,20V(D-S)
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商: SI2302ADS
Si2302ADS
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71831
S-41772—Rev. D, 20-Sep-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
--0.0
0.1
0.2
0.3
--50
0
50
100
150
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
2
4
6
8
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
N
T
600
-
r
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
T
J
-- Temperature (
_
C)
V
V
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
I
D
= 3.6 A
I
D
= 250
m
A
10
0.001
10
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
Time (sec)
10
8
4
0
2
6
T
J
= 25
_
C
T
J
= 150
_
C
1
0.1
T
= 25
_
C
Single Pulse
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si2302ADS-T1 N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
Si2307BDS P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
SI2302ADS-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2302ADS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.06Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2302ADS-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI2302ADS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.9W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2302CDS 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET