| 型號： |
SI1926DL-T1-E3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
9/11頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
2 個(gè) N 溝道（雙）
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
370mA
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
1.4 歐姆 @ 340mA，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
1.4nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
18.5pF @ 30V
|
| 功率 - 最大： |
510mW
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SC-70-6
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
SI1926DL-T1-E3DKR
|