型號: | SI1926DL-T1-E3 |
廠商: | Vishay Siliconix |
文件頁數(shù): | 3/11頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 370mA |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.4 歐姆 @ 340mA,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 1.4nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 18.5pF @ 30V |
功率 - 最大: | 510mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SC-70-6 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
其它名稱: | SI1926DL-T1-E3DKR |