參數(shù)資料
型號(hào)： SI-8800L
廠商： Sanken Electric Co.,Ltd.
英文描述： Separate Excitation Switching Type with Transformer
中文描述： 分離式的勵(lì)磁變壓器開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： SI-8800L
103
I
Electrical Characteristics
(T
a
=25
°
C)
Unit
V
%
kH
Z
mV
p-p
mV
p-p
V
Symbol
V
O1
Conditions
V
O2
Conditions
η
Conditions
f
V
r1
Conditions
V
r2
Conditions
V
St
Conditions
I
Outline Drawing
a. Part Number
b. Lot Number
Open Air Type
Weight: Approx. 9.3g
SK
q
t
o
y
16.8
±
0.2
22
±
0.2
1
±
0
2
±
0
1
±
0
1
±
0
4
±
0
0.8max.
(4
×
P3.175=12.7)
(16.5)
a
b
Terminal 1 marking
SI-8811L, 8911L, 8921L, 8922L
Parameter
Output Voltage 1
Output Voltage 2
Efficiency
Switching Frequency
Switching Ripple
Voltage 1
Switching Ripple
Voltage 2
Operation Starting
Voltage
Ratings
SI-8811L
typ.
SI-8911L
typ.
SI-8921L
typ.
SI-8922L
typ.
min.
max.
min.
max.
min.
max.
min.
max.
4.75
5.00
5.25
4.75
5.00
5.25
4.95
5.10
5.20
4.95
5.10
5.20
Recommended operating conditions
–4.75
–5.00
–5.25
–4.75
–5.00
–5.25
Recommended operating conditions
72
65
72
72
Recommended operating conditions (typ.)
50
68
60
68
80
60
68
80
50
50
50
80
50
80
Recommended operating conditions (typ.)
50
50
Recommended operating conditions (typ.)
22
24
22
24
17
20
Recommended operating conditions (typ.)
G
SI-8800L/8900L Series
(unit: mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI-8811L Separate Excitation Switching Type with Transformer
SI-8911L Separate Excitation Switching Type with Transformer
SI-8922L Separate Excitation Switching Type with Transformer
Si1012R N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI8802DB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI8802DB-T2-E1 功能描述:MOSFET 8V N-CH Micro Foot RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI8805EDB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI8805EDB-T2-E1 功能描述:MOSFET 8V P-CH Micro Foot RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI8806DB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V (D-S) MOSFET
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