參數(shù)資料
型號(hào)： SGP02N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 276K
代理商： SGP02N60
SGP02N60, SGB02N60
SGD02N60, SGU02N60
6
Mar-00
t
,
S
0A
1A
2A
3A
4A
5A
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
,
S
0
100
200
300
400
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 118
)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 2A)
t
,
S
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
G
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
5.5V
typ.
min.
max.
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 2A,
R
G
= 118
)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(
I
C
= 0.15mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGU02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGP04N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGU04N60 Fast IGBT in NPT-technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SGP04G72D1BD2MT-BBRT 制造商:Swissbit 功能描述:602881 制造商:SWISSBIT NA INC 功能描述:DDR3 4GB ULP RDIMM
SGP04G72D1BD2MT-CCRT 制造商:Swissbit 功能描述:602882 制造商:SWISSBIT NA INC 功能描述:DDR3 4GB ULP RDIMM
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