參數(shù)資料
型號： SGP02N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術（不擴散技術中的快速第S - IGBT的）
文件頁數(shù)： 5/12頁
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代理商： SGP02N120
Preliminary
SGP02N120
SGB02N120, SGD02N120
Power Semiconductors
5
Mar-00
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
3V
5V
7V
9V
11V
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
T
j
=-40°C
T
j
=+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
I
C
=4A
I
C
=2A
I
C
=1A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 20V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
相關PDF資料
PDF描述
SGB02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGD02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGP02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT)
SGU02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SGP02N120_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGP02N120XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SGP02N120XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO220-3
SGP02N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGP02N60_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
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