參數(shù)資料
型號： SGL60N90D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
中文描述： 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： SGL60N90D
Symbol
V
CES
V
GE
I
C
I
CM (1)
P
D
T
J
T
STG
T
L
FEATURES
* High Speed Switching
* Low Saturation Voltage
: V
CE
(sat) = 2.7 V (at I
C
=60A)
* High Input Impedance
APPLICATIONS
* Home Appliance
- Induction Heater
- IH JAR
- Micro Wave Oven
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Unit
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Rating
900
±
25
60
42
120
200
120
-55 ~ 150
300
Characteristics
Collector-Emitter Voltage
Gate - Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Soldering maximum lead temperature
(1/8
”
from case for 10 seconds)
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
Notes
:
(1) Repetitive rating : Pulse with limited by max. junction temperature
TO-264
1
G
C
E
SGL60N90D
IGBT CO-PAK
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev.B
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PDF描述
SGM2N60UF Ultrafast IGBT
SGP100 Primary-side-control PWM Controller
SGP100SZ Primary-side-control PWM Controller
SGP10N60RUFD Short Circuit Rated IGBT
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參數(shù)描述
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SGL60N90DG3M1TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL60N90DG3M2TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL60N90DG3M3TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V 60a RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL60N90DG3TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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