參數(shù)資料
型號(hào)： SGL40N150
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導(dǎo)、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 348K
代理商： SGL40N150
2000 Fairchild Semiconductor International
September 2000
SGL40N150 Rev. A
IGBT
S
SGL40N150
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor
(
IGBT)
provides low conduction and switching losses.
SGL40N150 is designed for the Induction Heating
applications.
Features
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V
CE(sat)
= 3.7 V @ I
C
= 40A
High Input Impedance
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
V
CES
V
GES
Description
SGL40N150
1500
±
25
40
20
120
200
80
-55 to +150
-55 to +150
Units
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
I
C
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
I
CM (1)
P
D
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
T
J
T
stg
T
L
300
°
C
Symbol
R
θ
JC
(IGBT)
R
θ
JA
Parameter
Typ.
--
--
Max.
0.625
25
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Application
Home Appliance, Induction Heater, IH JAR, Micro Wave Oven
G
C
E
TO-264
G
C
E
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PDF描述
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