參數(shù)資料
型號(hào)： SGB15N60HS
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： High Speed IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約高高速I(mǎi)GBT的技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大小： 325K
代理商： SGB15N60HS
^
SGB15N60HS
Power Semiconductors
4
Rev 2.1 Jan 05
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0,1A
1A
10A
8μs
t
P
=5μs
15μs
200μs
1ms
50μs
DC
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 23
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C;
V
GE
=15V)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
20W
40W
60W
80W
100W
120W
140W
I
C
,
C
25°C
75°C
125°C
0A
10A
20A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function of
case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB30N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGW30N60 CAP 0.1UF 50V 10% X7R AXIAL TR-14
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參數(shù)描述
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