參數資料
型號： SGB04N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
中文描述： 9.4 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數： 5/12頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： SGB04N60
SGP04N60, SGB04N60
SGD04N60, SGU04N60
5
Mar-00
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
3A
6A
9A
12A
15A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
3A
6A
9A
12A
15A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
10V
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
14A
-55°C
+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 10V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
I
C
= 4A
I
C
= 8A
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PDF描述
SGD04N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGP04N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
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SGB15N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT)
SGP15N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT)
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